昆山smt    每個(gè)人都知道固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)傳輸速度快，但容量仍然是其主要短板。英特爾和三星已經(jīng)通過(guò)一種名為3D NAND的技術(shù)解決了這一問(wèn)題。三星新款850 Evo固態(tài)硬盤存儲(chǔ)容量可以達(dá)到120GB，而尺寸僅略大于一個(gè)優(yōu)盤，證明3D NAND能有效提高固態(tài)硬盤容量。

但3D NAND并非是唯一有助于提高固態(tài)硬盤容量的技術(shù)。成立于2010年的硬件創(chuàng)業(yè)公司Crossbar一直在開(kāi)發(fā)一種名為RRAM(resistive random access memory，阻變式存儲(chǔ)器)的技術(shù)，這是一種非揮發(fā)性隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器，意味著即使斷電后它存儲(chǔ)的信息也不會(huì)丟失。

Crossbar的方法涉及堆疊成類立方體結(jié)構(gòu)的RRAM，理論上一塊芯片的存儲(chǔ)容量可以達(dá)到至多1TB。這聽(tīng)起來(lái)很了不起吧？但它存在一個(gè)問(wèn)題：正常情況下，內(nèi)存芯片挨得如此近會(huì)造成電流泄露，導(dǎo)致能耗增加，糟糕的情況下甚至?xí)构虘B(tài)硬盤無(wú)法使用。用Crossbar的話說(shuō)就是，“多個(gè)并行導(dǎo)電路徑會(huì)造成電流泄露，從而限制大陣列大小和增加能耗。”

這一限制會(huì)使Crossbar遭到“淘汰”，但Crossbar工程師表示，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一款被稱作1TnR的解決方案，把至多2000個(gè)存儲(chǔ)單元連接到一個(gè)晶體管。這種方案使得Crossbar可以避開(kāi)電流泄露問(wèn)題，意味著生產(chǎn)大容量固態(tài)硬盤的可能性大大提高了。另外，這種設(shè)計(jì)使得固態(tài)硬盤的使用壽命可以達(dá)到1億個(gè)使用周期，在50納秒內(nèi)完成開(kāi)啟和關(guān)閉狀態(tài)之間的切換。這使得其使用壽命超過(guò)了消費(fèi)者的需求。

在實(shí)踐中，Crossbar的RRAM突破意味著它能夠把超大的固態(tài)硬盤存儲(chǔ)容量壓縮到郵票大小的空間內(nèi)。這種固態(tài)硬盤的尺寸甚至小于利用三星V-NAND和英特爾3D NAND的固態(tài)硬盤。例如，11英寸的Chromebook將能配置1TB大小的固態(tài)硬盤。

不過(guò)用戶還需要等上更長(zhǎng)一段時(shí)間，因?yàn)椴捎肅rossbar技術(shù)的固態(tài)硬盤早要到明年末才會(huì)上市銷售。這類產(chǎn)品2016年上市銷售的可能性更大，廠商是否對(duì)Crossbar的技術(shù)感興趣尚不清楚，Crossbar沒(méi)有披露該公司的早期客戶。Crossbar的技術(shù)還面臨數(shù)個(gè)障礙，如果成功，采用Crossbar技術(shù)的固態(tài)硬盤將獲得急需的容量?jī)?yōu)勢(shì)。